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MTD2N20	文件：345.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTD2N20	文件：191.08 Kbytes Page：6 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
2N20	文件：68 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=2A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
EMDA2N20F	文件：206.22 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS200V RDSON(MAX.)120mΩ ID18A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司
HM2N20	文件：582.38 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HM2N20MR	文件：928.17 Kbytes Page：6 Pages	200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HM2N20R	文件：1.041 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
MPT2N20	文件：148.52 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.5A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ●LOWRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●SiliconG	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
MTEE2N20FP	文件：349.31 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司
MTP2N20	文件：301.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTP2N20	文件：176.77 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR,N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP2N20	文件：344.15 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.
MTP2N20	文件：113.15 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs3.5A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ●LOWRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●SiliconG	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MTP2N20	文件：113.15 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs3.5A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ●LOWRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●SiliconG	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
RFP2N20	文件：40.94 Kbytes Page：5 Pages	2A,200V,3.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
RFP2N20L	文件：35.21 Kbytes Page：5 Pages	2A,200V,3.500Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFET TheRFP2N20LN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthroughaspecial	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
RFP2N20L	文件：92.71 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerField-EffectTransistors(L2FET) TheRFL1N18LandRFL1N20LandtheRFP2N18LandRFP2N20Laren-channelenhancement-modesilicon-gatepower,field-effecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5volt)drivingsourcesInapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
RFP2N20L	文件：92.71 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerField-EffectTransistors(L2FET)	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
RT2N20M	文件：53.17 Kbytes Page：3 Pages	COMPOSITETRANSISTORWITHRESISTORFORSWITCHINGAPPLICATIONSILICONNPNEPITAXIALTYPE DESCRIPTION RT2N20Misacompositetransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=4.7KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation Isahaya电子公司

详细参数

型号：
MTD2N20
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MTD2N20	M	23+	TO-252D	12300	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	MTD2N20	ON	23+	TO-252	6893		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	MTD2N20	ON	08PB		30000		询价
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深圳市莱克讯科技有限公司	MTD2N20	ON	2017+	SOT223	65895	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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更多MTD2N20供应商更新时间2024-4-28 15:30:00

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