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MTB6N60E1	文件：160.56 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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MTB6N60E1

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TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De

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High Energy PowerFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司	MTB6N60E1	onsemi(安森美)	24+	-	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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深圳市佳杰伟业科技有限公司	MTB6N60E11	MOT	2410+		3866	优势代理渠道原装现货可全系列订货	询价

更多MTB6N60E1供应商更新时间2025-7-19 16:12:00

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