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MT48LC8M32B2

SYNCHRONOUS DRAM

GENERALDESCRIPTION The256MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining268,435,456-bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe67,108,864-bitb

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

MT48LC8M32B2TG

SYNCHRONOUS DRAM

GENERALDESCRIPTION The256MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining268,435,456-bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe67,108,864-bitb

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

MT48LC8M32B2B5-7

Package:90-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

MT48LC8M32B2B5-7 IT TR

Package:90-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

MT48LC8M32B2B5-7 TR

Package:90-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    MT48LC8M32B2

  • 制造商:

    MICRON

  • 制造商全称:

    Micron Technology

  • 功能描述:

    SYNCHRONOUS DRAM

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更多MT48LC8M32B2供应商 更新时间2025-5-1 16:12:00