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MT47H64M16HR-25E IT:H	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR2 1G X16 FBGA	Micron 美光	Micron
MT47H64M16HR-25E IT:H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA	ELPIDA 尔必达	ELPIDA
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MT47H64M16HR-25EAT	文件：9.27235 Mbytes Page：131 Pages	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.27235 Mbytes 页数：131 Pages	Micron 美光	Micron
MT47H64M16HR-25EIT	文件：9.27235 Mbytes Page：131 Pages	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.27235 Mbytes 页数：131 Pages	Micron 美光	Micron
MT47H64M16HR-25EITH	文件：9.29855 Mbytes Page：134 Pages	DDR2 SDRAM MT47H256M4 ??32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 ??16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 ??8 Meg x 16 x 8 banks DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.29855 Mbytes 页数：134 Pages	Micron 美光	Micron

产品属性

产品编号：
MT47H64M16HR-25E IT
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR2
存储容量：
1Gb（64M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
84-TFBGA
供应商器件封装：
84-FBGA（8x12.5）
描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MT47H64M16HR-25E IT:H供应商更新时间2025-10-4 11:10:00

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