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MT46V128M4BN-5B:F TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：60-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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MT46V128M4	文件：2.55598 Mbytes Page：68 Pages	DOUBLEDATARATEDDRSDRAM FunctionalDescription TheDDRSDRAMusesadoubledataratearchitecturetoachievehigh-speedoperation.Thedoubledataratearchitectureisessentiallya2n-prefetcharchitecturewithaninterfacedesignedtotransfertwodatawordsperclockcycleattheI/Opins.Asinglereadorwriteacce	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT46V128M4	文件：3.76267 Mbytes Page：91 Pages	512Mb:x4,x8,x16DDRSDRAMFeatures	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT46V128M4	文件：1.66163 Mbytes Page：93 Pages	512Mb:x4,x8,x16DoubleDataRateSDRAMFeatures FunctionalDescription TheDDRSDRAMusesadoubledataratearchitecturetoachievehigh-speedoperation.Thedoubledataratearchitectureisessentiallya2n-prefetcharchitecturewithaninterfacedesignedtotransfertwodatawordsperclockcycleattheI/Opins.Asinglereadorwriteacce	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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产品属性

产品编号：
MT46V128M4BN-6
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR
存储容量：
512Mb（128M x 4）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
60-TFBGA
供应商器件封装：
60-FBGA（10x12.5）
描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MT46V128M4BN供应商更新时间2024-6-1 16:18:00

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