512Mb: x16, x32 Mobile Low-Power DDR SDRAM Features

Mobile Low-Power DDR SDRAM Features • VDD/VDDQ = 1.70–1.95V • Bidirectional data strobe per byte of data (DQS) • Internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle • Differential clock inputs (CK and CK#) • Commands entered on each positi

文件：3.10679 Mbytes 页数：96 Pages

Micron

美光

Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM

文件：113.66 Kbytes 页数：3 Pages

Micron

美光

512Mb: x16, x32 Mobile Low-Power DDR SDRAM Features

Mobile Low-Power DDR SDRAM Features • VDD/VDDQ = 1.70–1.95V • Bidirectional data strobe per byte of data (DQS) • Internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle • Differential clock inputs (CK and CK#) • Commands entered on each positi

文件：3.10679 Mbytes 页数：96 Pages

Micron

美光

LPDRAM

Micron

美光

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Micron

美光

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Micron

美光

Package：60-VFBGA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA

ELPIDA

尔必达

Package：60-VFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA

ELPIDA

尔必达

Package：60-VFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA

ELPIDA

尔必达