8Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRAM

FeaturesVDD = VDDQ = 1.2V ±60mV VPP = 2.5V, -125mV, +250mV On-die, internal, adjustable VREFDQ generation 1.2V pseudo open-drain I/O Refresh time of 8192-cycle at TC temperature range: - 64ms at -40℃ to 85℃ - 32ms at >85℃ to 95℃ - 16ms at >95℃ to 105℃ 16 internal banks (x4, x8): 4 group

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Programmable data strobe preambles

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Programmable data strobe preambles

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8Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRAM

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Automotive DDR4 SDRAM

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Programmable data strobe preambles

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DDR4 SDRAM

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DDR4 SDRAM

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DDR4 8G X16 TFBGA

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Package：96-TFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA

ELPIDA

尔必达