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MT40A1G16

16Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRAM

Features •VDD=VDDQ=1.2V±60mV •VPP=2.5V,–125mV,+250mV •On-die,internal,adjustableVREFDQgeneration •1.2Vpseudoopen-drainI/O •TCmaximumupto95°C –64ms,8192-cyclerefreshupto85°C –32ms,8192-cyclerefreshat>85°Cto95°C •16internalbanks(x4,x8):4groupsof

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

MT40A1G16HBA-083E

TwinDie 1.2V DDR4 SDRAM

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

MT40A1G16WBU-075E

TwinDie 1.2V DDR4 SDRAM

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

MT40A1G16WBU-083E

TwinDie 1.2V DDR4 SDRAM

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

MT40A1G16HBA-083E:A TR

Package:96-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

MT40A1G16KD-062E IT:E

Package:96-TFBGA;包装:散装 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 96FBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

MT40A1G16KD-062E IT:E TR

Package:96-TFBGA;包装:散装 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 96FBGA

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美光科技美光科技股份有限公司

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更多MT40A1G16供应商 更新时间2025-7-15 10:20:00