16Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRAM

Features • VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV • VPP = 2.5V, –125mV, +250mV • On-die, internal, adjustable VREFDQ generation • 1.2V pseudo open-drain I/O • TC maximum up to 95°C – 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C – 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C • 16 internal banks (x4, x8): 4 groups of

文件：10.99113 Mbytes 页数：379 Pages

Micron

美光

TwinDie 1.2V DDR4 SDRAM

文件：527.46 Kbytes 页数：19 Pages

Micron

美光

TwinDie 1.2V DDR4 SDRAM

文件：527.46 Kbytes 页数：19 Pages

Micron

美光

TwinDie 1.2V DDR4 SDRAM

文件：527.46 Kbytes 页数：19 Pages

Micron

美光

DDR4 16G X16 TFBGA

Micron

美光

DDR4 SDRAM

Micron

美光

DDR4 SDRAM

Micron

美光

Package：96-TFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA

ELPIDA

尔必达

Package：96-TFBGA；包装：散装 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC FLASH 16GBIT PARALLEL 96FBGA

ELPIDA

尔必达

Package：96-TFBGA；包装：散装 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC FLASH 16GBIT PARALLEL 96FBGA

ELPIDA

尔必达