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MT28F400B3	文件：428.77 Kbytes Page：30 Pages	FLASH MEMORY GENERAL DESCRIPTION The MT28F004B3 (x8) and MT28F400B3 (x16/x8) are nonvolatile, electrically block-erasable (flash), programmable memory devices containing 4,194,304 bits organized as 262,144 words (16 bits) or 524,288 bytes (8 bits). Writing or erasing the device is done with either a 3.3V or 5 文件：428.77 Kbytes 页数：30 Pages	Micron 美光	Micron
MT28F400B3SG-8B	文件：428.77 Kbytes Page：30 Pages	FLASH MEMORY GENERAL DESCRIPTION The MT28F004B3 (x8) and MT28F400B3 (x16/x8) are nonvolatile, electrically block-erasable (flash), programmable memory devices containing 4,194,304 bits organized as 262,144 words (16 bits) or 524,288 bytes (8 bits). Writing or erasing the device is done with either a 3.3V or 5 文件：428.77 Kbytes 页数：30 Pages	Micron 美光	Micron
MT28F400B3SG-8T	文件：428.77 Kbytes Page：30 Pages	FLASH MEMORY GENERAL DESCRIPTION The MT28F004B3 (x8) and MT28F400B3 (x16/x8) are nonvolatile, electrically block-erasable (flash), programmable memory devices containing 4,194,304 bits organized as 262,144 words (16 bits) or 524,288 bytes (8 bits). Writing or erasing the device is done with either a 3.3V or 5 文件：428.77 Kbytes 页数：30 Pages	Micron 美光	Micron
MT28F400B3VG-8B	文件：428.77 Kbytes Page：30 Pages	FLASH MEMORY GENERAL DESCRIPTION The MT28F004B3 (x8) and MT28F400B3 (x16/x8) are nonvolatile, electrically block-erasable (flash), programmable memory devices containing 4,194,304 bits organized as 262,144 words (16 bits) or 524,288 bytes (8 bits). Writing or erasing the device is done with either a 3.3V or 5 文件：428.77 Kbytes 页数：30 Pages	Micron 美光	Micron
MT28F400B3VG-8T	文件：428.77 Kbytes Page：30 Pages	FLASH MEMORY GENERAL DESCRIPTION The MT28F004B3 (x8) and MT28F400B3 (x16/x8) are nonvolatile, electrically block-erasable (flash), programmable memory devices containing 4,194,304 bits organized as 262,144 words (16 bits) or 524,288 bytes (8 bits). Writing or erasing the device is done with either a 3.3V or 5 文件：428.77 Kbytes 页数：30 Pages	Micron 美光	Micron
MT28F400B3WG-8B	文件：428.77 Kbytes Page：30 Pages	FLASH MEMORY GENERAL DESCRIPTION The MT28F004B3 (x8) and MT28F400B3 (x16/x8) are nonvolatile, electrically block-erasable (flash), programmable memory devices containing 4,194,304 bits organized as 262,144 words (16 bits) or 524,288 bytes (8 bits). Writing or erasing the device is done with either a 3.3V or 5 文件：428.77 Kbytes 页数：30 Pages	Micron 美光	Micron
MT28F400B3WG-8T	文件：428.77 Kbytes Page：30 Pages	FLASH MEMORY GENERAL DESCRIPTION The MT28F004B3 (x8) and MT28F400B3 (x16/x8) are nonvolatile, electrically block-erasable (flash), programmable memory devices containing 4,194,304 bits organized as 262,144 words (16 bits) or 524,288 bytes (8 bits). Writing or erasing the device is done with either a 3.3V or 5 文件：428.77 Kbytes 页数：30 Pages	Micron 美光	Micron
MT28F400B3SG-8 B	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 4M PARALLEL 44SOP	Micron 美光	Micron
MT28F400B3WG-8 T	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP I	Micron 美光	Micron
MT28F400B3WG-8 TET	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP I	Micron 美光	Micron

技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
4Mb （512K x 8，256K x 16）
写周期时间 - 字，页：
80ns
访问时间：
80ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
44-SOIC（0.496\，12.60mm 宽）
供应商器件封装：
44-SOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MT28F400B3	MT	23+	TSSOP	12300	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	MT28F400B3WG-10BE	MICRON	24+	TSOP	5000	全现原装公司现货	询价
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更多MT28F400B3供应商更新时间2025-10-5 11:10:00

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