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MZ726	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE726	文件：24.36 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitWideBandAmplifier Features: •ExceptionallyHighAmplifierGain:PowerGainat4.5MHz/s–75dB(Typ) •ExcellentLimitingCharacteristics:InputLimitingVoltage(Knee)=600µV(Typ)at10.7MHz/s •WideFrequencyCapability:100kHz/sto>20MHz/s	NTE NTE Electronics	NTE
OPA726	文件：1.13927 Mbytes Page：28 Pages	VeryLowNoise,High-Speed,12VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
OPA726	文件：1.13776 Mbytes Page：28 Pages	VeryLowNoise,High-Speed,12VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
OPA726	文件：458.31 Kbytes Page：20 Pages	VeryLowNoise,High-Speed,12VCMOSOperationalAmplifier	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
OPA726AID	文件：458.31 Kbytes Page：20 Pages	VeryLowNoise,High-Speed,12VCMOSOperationalAmplifier	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
OPA726AID	文件：1.13927 Mbytes Page：28 Pages	VeryLowNoise,High-Speed,12VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
OPA726AIDGKR	文件：1.13927 Mbytes Page：28 Pages	VeryLowNoise,High-Speed,12VCMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
OPA726AIDGKR	文件：458.31 Kbytes Page：20 Pages	VeryLowNoise,High-Speed,12VCMOSOperationalAmplifier	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
OPA726AIDGKT	文件：458.31 Kbytes Page：20 Pages	VeryLowNoise,High-Speed,12VCMOSOperationalAmplifier	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	MST726C	MSTAR	23+		7860	正品原装货价格低	询价
深圳市一线半导体有限公司	MST726C-LF	MSTAR	24+		3000		询价
深圳诚思涵科技有限公司	MST726C-LF	MSTAR	16+	QFP	2500	进口原装现货/价格优势!	询价
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深圳市正迈科技有限公司	MST726C-LF	MSTAR	23+	NA	589	专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553	询价
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