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RJP30H1	文件：157.56 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. Lowleakcurrent:ICES=1Amax.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP30H1	文件：157.32 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1Amax. ●IsolatedpackageTO-220FL	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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*Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) *Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. *Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. *Lowleakcurrent:ICES=1Amax.

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