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MSMCJ8.0A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-214AB，SMC 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MSMCJ8.0A/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-214AB，SMC 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 8VWM 13.6VC SMCJ	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MSMCJ8.0AE3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-214AB，SMC 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MSMCJLCE8.0A	文件：1.38062 Mbytes Page：7 Pages	1500WattLowCapacitanceSurfaceMountTransientVoltageSuppressor DESCRIPTION Thishigh-reliabilitysurfacemountTransientVoltageSuppressor(TVS)productfamilyincludesarectifierdiodeinserieswithandintheoppositedirectiontotheprimaryTVSprotectiondiode.Thecircuitbeingprotectedseesonlytherectifierdiode'slow100pFcapacitance.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSMLG8.0A	文件：281.28 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNT3000WattTransientVoltageSuppressor FEATURES ●Highreliabilitycontrolleddeviceswithwaferfabricationandassemblylottraceability ●100surgetesteddevices ●OptionalupscreeningavailablebyreplacingtheMprefix withMA,MXorMXL.Theseprefixesspecify variousscreeningandconformanceinspectionoptionsbase	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSMLG8.0A	文件：181.7 Kbytes Page：4 Pages	MSMLJ5.0AthruMSMLJ170CA,e3andMSMLG5.0AthruMSMLG170CA,e3 FEATURES ●Highreliabilitycontrolleddeviceswithwaferfabricationandassemblylottraceability ●100surgetesteddevices ●OptionalupscreeningavailablebyreplacingtheMprefix withMA,MXorMXL.Theseprefixesspecify variousscreeningandconformanceinspectionoptionsbase	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSMLJ8.0A	文件：281.28 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNT3000WattTransientVoltageSuppressor FEATURES ●Highreliabilitycontrolleddeviceswithwaferfabricationandassemblylottraceability ●100surgetesteddevices ●OptionalupscreeningavailablebyreplacingtheMprefix withMA,MXorMXL.Theseprefixesspecify variousscreeningandconformanceinspectionoptionsbase	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSMP8.0A	文件：102.06 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountTRANSZORB짰TransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MSMP8.0A	文件：108.46 Kbytes Page：5 Pages	Surface-MountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof0.65mm •Idealforautomatedplacement •Oxideplanarchipjunction •Unidirectionalpolarityonly •Peakpulsepower:150W(10/1000μs) •ESDcapability:15kV(air),8kV(contact) •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020C,LFmaximumpeak of2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
PMF8.0A	文件：752.937 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
PMF8.0A	文件：397.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSTAND-OFFVOLTAGE-5.0TO190Volts	SPSEMIStarHope 瞬雷电子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
PMF8.0A	文件：996.76 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE Features Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage clampingcapability cycle):0.01 Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds,atterminals 200Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μ Lowincrementalsurgeresistance,excellent s wavefrom,repetitionrate	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PMF8.0CA	文件：752.937 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
PMF8.0CA	文件：397.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSTAND-OFFVOLTAGE-5.0TO190Volts	SPSEMIStarHope 瞬雷电子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
PMF8.0CA	文件：996.76 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE Features Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage clampingcapability cycle):0.01 Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds,atterminals 200Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μ Lowincrementalsurgeresistance,excellent s wavefrom,repetitionrate	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PSMF8.0AL	文件：389.81 Kbytes Page：7 Pages	400WATTTVSCOMPONENT	PROTEC Protek Devices	PROTEC
SA8.0	文件：169.1 Kbytes Page：6 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR(VOLTAGE-5.0TO170Volts500WattPeakPulsePower) FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-15package •500Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom0voltstoBV	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SA8.0	文件：313.64 Kbytes Page：4 Pages	500WATTPEAKPOWERTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS FEATURES 500WattsSurgeCapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0volttoBVmin. TypicalIRlessthan1mAabove10V Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10seconds/.375(9.5mm)leadlengt	BYTES Bytes	BYTES
SA8.0	文件：792.46 Kbytes Page：4 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES Glasspassivatedjunction 500WattsPeakPulsePowercapabilityon10/1000µswaveform Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance *Fastresponsetime	DCCOM Dc Components	DCCOM
SA8.0	文件：52.06 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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产品属性

产品编号：
MSMCJ8.0A
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
8V
电压 - 击穿（最小值）：
8.89V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
13.6V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
110.3A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
DO-214AB（SMCJ）
描述：
TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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