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MSD602-RT1	文件：40.65 Kbytes Page：1 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount 文件：40.65 Kbytes 页数：1 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MSD602-RT1	文件：78.69 Kbytes Page：1 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount 文件：78.69 Kbytes 页数：1 Pages	ETL 亚历电子	ETL
MSD602-RT1	文件：111.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount 文件：111.64 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD602-RT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN 双极晶体管 The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SC-59 package, which is designed for lower power surface mount applications. • High hFE, 120-240\n• Low VCE(sat), \n• Available in 8 mm, 7-inch/3000 Unit Tape and Reel\n• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Com;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD602-RT1G	文件：63.75 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount 文件：63.75 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD602-RT1G	文件：89.42 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount 文件：89.42 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD602-RT1G_14	文件：63.75 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount 文件：63.75 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD602-RT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.5A SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
7
VBE(sat) (V)：
1
VBE(on) (V)：
1
hFE Min：
120
hFE Max：
240
PTM Max (W)：
0.2
Package Type：
SC-59-3

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