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MS44N60T	文件：559.32 Kbytes Page：6 Pages	Low rDS(on) trench technology 文件：559.32 Kbytes 页数：6 Pages	BWTECH	BWTECH
MS44N60T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Bruckewell	Bruckewell
IXFE44N60	文件：83.03 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features •Conforms to SOT-227B outline •Low RDS (on) HDMOSTM process •Rugged polysilicon gate cell structure •Unclamped Inductive Switching (UIS) rated •Low package inductance •Fast in 文件：83.03 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFK44N60	文件：104.55 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs HiPerFETTM Single MOSFET Die Power MOSFETs Features • International standard packages • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect • Fast intrinsic rectifier 文件：104.55 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFK44N60	文件：110.12 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs HiPerFETTM Single MOSFET Die Power MOSFETs Features • International standard packages • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect • Fast intrinsic rectifier 文件：110.12 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Status：
Active
Description：
N-Channel MOSFET
Channel Polarity：
N Channel
Configuration：
Series
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
ID Max (A)：
6.4
PD Max (W)：
3.1
rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
60
rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)：
50
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
3.8
Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.4
Ciss Typ (pF)：
382
Coss Typ (pF)：
58
Crss Typ (pF)：
32
Package Type：
SO-8

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