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MRF8S9100HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S9100HSR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S9100HSR3

Package:NI-780S;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 70V 920MHZ NI-780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    MRF8S9100HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    920MHz

  • 增益:

    19.3dB

  • 功率 - 输出:

    72W

  • 封装/外壳:

    NI-780S

  • 供应商器件封装:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 70V 920MHZ NI-780S

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MRF8S9100HSR3供应商 更新时间2025-5-6 16:04:00