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MRF7S35015HSR3	文件：502.54 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 3100--3500MHz,15WPEAK,32VPULSEDLATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET Designedforpulsedwidebandapplicationsoperatingatfrequenciesbetween3100and3500MHz. •TypicalPulsedPerformance:VDD=32Volts,IDQ=50mA,Pout=15WattsPeak(3WattsAvg.),PulsedSignal,f=3500MHz,Pul	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF7S35015HSR3	文件：825.59 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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MRF7S35015HSR3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-400S-2S 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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更多MRF7S35015HS供应商更新时间2024-9-22 16:04:00