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SMPJ557	文件：282.54 Kbytes Page：4 Pages	J556,J557CurrentRegulatorDiode Features •InterFETN0016HGeometry •LowNoise:5nV/√HzTypical •LowCapacitance:2pFTypical •RoHSCompliant •SMT,TH,andBareDiePackageoptions. Applications •CurrentRegulation •CurrentLimiting •Biasing Description The50VInterFETJ556andJ557JFET’sare targetedforc	InterFET InterFET Corporation	InterFET
SMPJ557TR	文件：282.54 Kbytes Page：4 Pages	J556,J557CurrentRegulatorDiode Features •InterFETN0016HGeometry •LowNoise:5nV/√HzTypical •LowCapacitance:2pFTypical •RoHSCompliant •SMT,TH,andBareDiePackageoptions. Applications •CurrentRegulation •CurrentLimiting •Biasing Description The50VInterFETJ556andJ557JFET’sare targetedforc	InterFET InterFET Corporation	InterFET
SNAS557	文件：423.79 Kbytes Page：28 Pages	DP8570ATimerClockPeripheral	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
SZ557F	文件：28.55 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ557F	文件：47.64 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ557F	文件：477.223 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SZ557F	文件：476.733 Kbytes Page：2 Pages	3W7.5VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SZ557F	文件：80.42 Kbytes Page：2 Pages	3WattsSurfaceMountZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.9to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SZ557F	文件：229.74 Kbytes Page：3 Pages	3WSiliconZenerDiodes Features ◇CompleteVoltageRange3.9to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SZ557F	文件：147.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.9to200Volts	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
MRF557T
功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Transistor
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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