MRF21010LSR1数据手册供应价格新泽西半导体-114ic电子网

首页 >MRF21010LS>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
MRF21010LSR1	文件：542.12 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF21010LSR1	文件：182.18 Kbytes Page：4 Pages	RF Power Field Effect Transistors TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MRF21010LSR1	文件：383.37 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF21010LSR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-360S 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF21010LSR5	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-360S 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BU21010MUV	文件：342.41 Kbytes Page：15 Pages	CapacitiveSensorSwitchControlIC	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
ISL21010	文件：1.19209 Mbytes Page：17 Pages	MicropowerVoltageReference MicropowerVoltageReference TheISL21010isaprecision,lowdropoutmicropowerbandgapvoltagereferenceinaspace-savingSOT-23package.Itoperatesfromasingle2.2Vto5.5Vsupply(minimumvoltageisdependentonvoltageoption)andprovidesa±0.2accuratereference.TheISL21010provides	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL21010	文件：9.95425 Mbytes Page：44 Pages	Providinghigh-performancesolutionsforeverylinkinthesignalchain	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL21010	文件：3.39512 Mbytes Page：37 Pages	MicropowerVoltageReference MicropowerVoltageReference TheISL21010isaprecision,lowdropoutmicropowerbandgapvoltagereferenceinaspace-savingSOT-23package.Itoperatesfromasingle2.2Vto5.5Vsupply(minimumvoltageisdependentonvoltageoption)andprovidesa±0.2accuratereference.TheISL21010provides	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL21010	文件：2.64609 Mbytes Page：35 Pages	MicropowerVoltageReference TheISL21010isaprecision,lowdropoutmicropowerbandgap voltagereferenceinaspace-savingSOT-23package.It operatesfromasingle2.2Vto5.5Vsupply(minimumvoltage isdependentonvoltageoption)andprovidesa±0.2 accuratereference.TheISL21010providesupto25mAoutput curren	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL21010	文件：1.31549 Mbytes Page：20 Pages	MicropowerVoltageReference	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
LC21010A	文件：145.99 Kbytes Page：1 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS [SANYO] INTEGRATEDCIRCUITS GateArrays(monolithicICs)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
LLCC21010C	文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages	LowLossCWDM	OPLINK Oplink Communications, LLC	OPLINK
LLCC21010S	文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages	LowLossCWDM	OPLINK Oplink Communications, LLC	OPLINK
MHPA21010	文件：326.37 Kbytes Page：4 Pages	TheRFLineUMTSBANDRFLINEARLDMOSAMPLIFIER	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MHPA21010N	文件：139.09 Kbytes Page：8 Pages	UMTSBandRFLinearLDMOSAmplifier	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF21010	文件：542.12 Kbytes Page：8 Pages	RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF21010	文件：383.37 Kbytes Page：8 Pages	RFPowerFieldEffectTransistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MV21010	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAsVaractorDiodesAbruptJunction Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UFT21010	文件：230.67 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

12 >>>

产品属性

产品编号：
MRF21010LSR1
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2.17GHz
增益：
13.5dB
功率 - 输出：
10W
封装/外壳：
NI-360S
供应商器件封装：
NI-360S
描述：
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	MRF21010LSR1	FREESCALE	23+	NI-360S-3	90000	只做原装！全系列供应可长期供货稳定价格优势！	询价
深圳市旺财半导体有限公司	MRF21010LSR1	MOTOROLA/摩托罗拉	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	MRF21010LSR1	MOTOROLA	23+	高频管	200	专营高频管模块,全新原装!	询价
深圳市弘为电子有限公司	MRF21010LSR1	Freescale	16+	NI-360S	1500	原装现货假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	MRF21010LSR1	FREESCALE	24+	XX	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	MRF21010LSR1	FREESCALE	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	MRF21010LSR1	FREESCALE	2018+	SMD	1680	FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	MRF21010LSR1	FREESCALE	23+		229	现货供应	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	MRF21010LSR1	MOTOROLA/摩托罗拉	23+	TO-59	8510	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	MRF21010LSR1	FREESCALE		NI-360S-3	265209	假一罚十原包原标签常备现货!	询价

更多MRF21010LS供应商更新时间2024-6-11 10:50:00

产品属性

相关规格书

相关库存