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MRBX160	文件：486.154 Kbytes Page：2 Pages	1A 60V Schottky diode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MRF160	文件：122.14 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETBROADBANDRFPOWERFET TheRFMOSFETLine PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeMOSFET Designedprimarilyforwidebandlarge–signaloutputanddriverfrom30–500MHz. •TypicalPerformanceat400MHz,28Vdc OutputPower=4.0Watts Gain=17dB Efficiency=50 •ExcellentThermal	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF160	文件：416.64 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETBROADBANDRFPOWERFET TheRFMOSFETLine PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement-ModeMOSFET Designedprimarilyforwidebandlarge–signaloutputanddriverfrom30–500MHz. •Guaranteed28Volt,500MHzperformance Outputpower=4.0Watts Gain=16dB(Min) Efficiency=55(Typ) •Excel	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
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MRF160	文件：533.24 Kbytes Page：11 Pages	TheRFMOSFETLine:BroadbandPowerFET4W,to500MHz,28V TheRFMOSFETLine:BroadbandPowerFET4W,to500MHz,28V Designedprimarilyforwidebandlarge–signaloutputanddriverfrom30–500MHz. N–ChannelenhancementmodeMOSFET •Guaranteed28V,500MHzperformance Outputpower=4.0W Gain=16dB(min.) Efficiency=55(typ.) •E	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF160	文件：167.23 Kbytes Page：1 Pages	POWEFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION: TheMRF160isanEnhancement-ModeN-ChannelTMOSdesignedforwidebandlarge-signalamplifierandoscillatorapplicationsto500MHz.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
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MRT160	文件：1.39139 Mbytes Page：4 Pages	TYPEMRTTIMELAGRADIALLEADMICROFUSESERIES	bel Bel Fuse Inc.	bel

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