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MPTE-10C	文件：42 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V 1500 Watt Peak Power FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94 V-O • Glass passivated chip junction in Molded Plastic package • 1500W surge capability at 1ms • Excellent clamping capability • Low zener inpedance 文件：42 Kbytes 页数：2 Pages	MDE	MDE
MPTE-10C	文件：55.23 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V 1500 Watt Peak Power STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V 1500 Watt Peak Power FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94 V-O • Glass passivated chip junction in Molded Plastic package • 1500W surge capability at 1ms • Excellent clamping capability • Low zener inpedance 文件：55.23 Kbytes 页数：2 Pages	MDE	MDE
MPTE-10C	文件：279.95 Kbytes Page：2 Pages	1500 WATT LOW CLAMPING FACTOF TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSO STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V 1500 Watt Peak Power FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • Glass passivated chip junction in Molded Plastic package • 1500W surge capability at 1ms • Excellent clamping capability • Lowzener inpedance • Fas 文件：279.95 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MPTE-10C	文件：158.3 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V 1500 Watt Peak Power FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • Glass passivated chip junction in Molded Plastic package • 1500W surge capability at 1ms • Excellent clamping capability • Lowzener inpedance • Fas 文件：158.3 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MPTE-10C	文件：102.38 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V 文件：102.38 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MPTE-10C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Diode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5KW 2-Pin Case 1	NJS	NJS
MPTE-10C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE UP 10VRWM 14.5VC	MDE Semiconductor Inc	MDE Semiconductor Inc

产品属性

产品编号：
MPTE-10C
制造商：
MDE Semiconductor Inc
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
ICTE/MPTE
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
10V
电压 - 击穿（最小值）：
11.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
14.5V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
90A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AA，DO-27，轴向
供应商器件封装：
DO-201
描述：
TVS DIODE UP 10VRWM 14.5VC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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