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MPS6514C	文件：52.62 Kbytes Page：1 Pages	NPNTRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NI6514	文件：151.72 Kbytes Page：6 Pages	Low-CostIndustrialDigitalI/O-30V,BankIsolated	NI National Instruments Inc.	NI
NIPCI-6514	文件：151.72 Kbytes Page：6 Pages	Low-CostIndustrialDigitalI/O-30V,BankIsolated	NI National Instruments Inc.	NI
NMC6514	文件：323.09 Kbytes Page：6 Pages	industrystandardpinout	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NX6514EH	文件：217.09 Kbytes Page：7 Pages	LASERDIODE1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFOR1.25Gb/sFTTHP2PANDOC-48IR-2	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NX6514EH	文件：205.71 Kbytes Page：7 Pages	LASERDIODE1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFOR1.25Gb/sFTTHP2PANDOC-48IR-2 DESCRIPTION TheNX6514EHisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPO=5.0mW •LowthresholdcurrentIth=10mA •Differentialefficiencyηd=0.35W/A •Wideoperatingtemperatu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6514EH-AZ	文件：904.41 Kbytes Page：6 Pages	1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE	CEL California Eastern Labs	CEL
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详细参数

型号：
MPS6514_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor Medium Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MPS6514_Q供应商更新时间2025-5-18 11:00:00

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