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MZ859	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE859	文件：30.43 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitQuad,LowNoise,JFETInputOperationalAmplifier Description: TheNTE859(14–LeadDIP)andNTE859SM(SOIC–14SurfaceMount)JFET–inputoperationalamplifiersarelownoiseamplifierswithlownoiseinputbias,offsetcurrents,andfastslewrate.Thelowharmonicdistortionandlownoisemakethesedevicesideallysuitedasamplifiersforhigh–	NTE NTE Electronics	NTE
NTE859SM	文件：30.43 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitQuad,LowNoise,JFETInputOperationalAmplifier Description: TheNTE859(14–LeadDIP)andNTE859SM(SOIC–14SurfaceMount)JFET–inputoperationalamplifiersarelownoiseamplifierswithlownoiseinputbias,offsetcurrents,andfastslewrate.Thelowharmonicdistortionandlownoisemakethesedevicesideallysuitedasamplifiersforhigh–	NTE NTE Electronics	NTE
OPA859	文件：2.50471 Mbytes Page：32 Pages	OPA859-Q11.8-GHzUnity-GainBandwidth,3.3-nV/?숰z,FETInputAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA859	文件：3.29548 Mbytes Page：50 Pages	OPA810140-MHz,Rail-to-RailInput/Output,FET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA859	文件：1.76729 Mbytes Page：29 Pages	OPA814600-MHz,High-Precision,Unity-GainStable,FET-InputOperationalAmplifier 1Features •Widebandwidth: –Gain-bandwidthproduct:250MHz –Bandwidth(G=1V/V):600MHz –Large-signalbandwidth(2VPP):200MHz –Slewrate:750V/μs •Highprecision: –Inputoffsetvoltage:250μV(maximum) –Inputoffsetvoltagedrift:3.5μV/°C(maximum) •Inputvoltagenois	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA859	文件：1.96081 Mbytes Page：34 Pages	OPA814600-MHz,High-Precision,Unity-GainStable,FET-InputOperationalAmplifier 1Features •Widebandwidth: –Gain-bandwidthproduct:250MHz –Bandwidth(G=1V/V):600MHz –Large-signalbandwidth(2VPP):200MHz –Slewrate:750V/μs •Highprecision: –Inputoffsetvoltage:250μV(maximum) –Inputoffsetvoltagedrift:3.5μV/°C(maximum) •Inputvoltagenois	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA859	文件：1.45304 Mbytes Page：28 Pages	OPA859-Q11.8-GHzUnity-GainBandwidth,3.3-nV/?숰z,FETInputAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA859	文件：2.40532 Mbytes Page：35 Pages	1.8GHzUnity-GainBandwidth,3.3-nV/?숰z,FETInputAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA859	文件：3.21369 Mbytes Page：33 Pages	OPA8561.1-GHzUnity-GainBandwidth,0.9nV/?숰z,BipolarInputAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
MPC859PCZP
功能描述：
微处理器 - MPU POWER QUICC I HIP6W
RoHS：
否
制造商：
Atmel
处理器系列：
SAMA5D31
核心：
ARM Cortex A5
数据总线宽度：
32 bit
最大时钟频率：
536 MHz
程序存储器大小：
32 KB 数据 RAM
大小：
128 KB
接口类型：
CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB
工作电源电压：
1.8 V to 3.3 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
FBGA-324

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