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PBSS5260PAP	文件：751.55 Kbytes Page：17 Pages	60V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4260PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4260PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260PAP-Q	文件：311.26 Kbytes Page：17 Pages	60V,2APNP/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Highefficiencyduetolessheatgeneration •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260PAPS	文件：742.34 Kbytes Page：17 Pages	60V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)doubletransistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260PAPS-Q	文件：286.77 Kbytes Page：14 Pages	60V,2ANPN/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260QA	文件：732.1 Kbytes Page：17 Pages	60V,1.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4260QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMLL5260B	文件：37.87 Kbytes Page：7 Pages	Voltageregulatordiodes Low-powervoltageregulatordiodesinsmallhermeticallysealedglassSOD80CSMDpackages.Theseriesconsistsof43typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.0to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.500mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.0to75V	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SC5260	文件：137.77 Kbytes Page：8 Pages	REMOTECONTROLENCODER DESCRIPTION TheSC5260isaremotecontrolencoderpairedwitheitherSC5260orSC5272utilizingCOMSTechnology.ItencodesdataandaddresspinsintoaserialcodedwaveformsuitableforRFmodulation.SC5260hasamaximumof10bitstri-stateaddresspinsprovidingupto59,049(or310)addr	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SL5260	文件：82.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES,500mW,MINIMELFPACKAGE SILICONPLANARZENERDIODES,500mW,MINIMELFPACKAGE	Surge Surge Components	Surge
SMBJ5260	文件：89.07 Kbytes Page：2 Pages	SILICON1WATTZENERDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
STBDAI5260K	文件：140.04 Kbytes Page：5 Pages	standarddigitalinputkitSTB-115VAC-2I	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

产品属性

产品编号：
MMSZ5260B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±5%
工作温度：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-123
供应商器件封装：
SOD-123
描述：
DIODE ZENER 43V 500MW SOD123

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