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MMSZ5226C	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	ZENER DIODE Features ·LowZenerImpedance ·PowerDissipationof500mW ·HighStabilityandHighReliability	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
MMSZ5226C	文件：1.38253 Mbytes Page：5 Pages	ZENER DIODE	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MMSZ5226CT1G	文件：130.62 Kbytes Page：7 Pages	Zener Voltage Regulators 500 mW SOD??23 Surface Mount ZenerVoltageRegulators 500mWSOD−123SurfaceMount ThreecompleteseriesofZenerdiodesareofferedintheconvenient,surfacemountplasticSOD−123package.Thesedevicesprovideaconvenientalternativetotheleadless34−packagestyle. Features •500mWRatingonFR−4orFR−5Board •W	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMSZ5226CT1G	文件：130.669 Kbytes Page：7 Pages	Zener Voltage Regulators	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMSZ5226C-E3-18	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOD-123 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MMSZ5226C-G3-08	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOD-123 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MMSZ5226C-G3-18	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOD-123 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ACZRV5226B-HF	文件：132.8 Kbytes Page：5 Pages	SMDZenerDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BCM5226	文件：162.98 Kbytes Page：1 Pages	10/100BASETX/FXHEXTRANSCEIVER	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5226	文件：140.51 Kbytes Page：2 Pages	10/100BASE-TX/FXHEX-過TRANSCEIVER	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5226R	文件：162.98 Kbytes Page：1 Pages	10/100BASETX/FXHEXTRANSCEIVER	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BD5226	文件：375.79 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEDETECTORIC Description BD52XXG/FVE,BD53XXG/FVEareseriesofhigh-accuracydetectionvoltageandlowcurrentconsumptionVOLTAGEDETECTORICsadoptingCMOSprocess. Newlineupof152typeswithdelaytimecircuithavedevelopedinadditiontowell-reputed152typesofVOLTAGEDETECTORICs.Anydelaytime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD5226	文件：387.9 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEDETECTORICwithadjustabledelaytime Description BD52XXG/FVE,BD53XXG/FVEareseriesofhigh-accuracydetectionvoltageandlowcurrentconsumptionVOLTAGEDETECTORICsadoptingCMOSprocess.Newlineupof152typeswithdelaytimecircuithavedevelopedinadditiontowell-reputed152typesofVOLTAGEDETECTORICs.Anydelaytime	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BD5226	文件：2.33137 Mbytes Page：23 Pages	FreeTimeDelaySettingCMOSVoltageDetector(Reset)IC GeneralDescription ROHM'sBD52xx-2MandBD53xx-2Mseriesarehighly accurate,lowcurrentconsumptionVoltageDetector ICswithacapacitorcontrolledtimedelay.Thelineup includesN-channelopendrainoutput(BD52xx-2M) andCMOSoutput(BD53xx-2M)sothattheuserscan selectdependingo	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD5226	文件：277.06 Kbytes Page：10 Pages	FreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD5226	文件：316.57 Kbytes Page：6 Pages	VoltageDetectorICAdjustableOutputDelay SiliconMonolithicIntegratedCircuit Featues 1.Detectionvoltagelineup:2.3~6.0V 2.Highprecisiondetectionvoltage:+-1.0.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD5226	文件：400.42 Kbytes Page：16 Pages	FreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries Description ROHM’sBD52□□G/FVEandBD53□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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BD5226	文件：400.42 Kbytes Page：16 Pages	FreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries Description ROHM’sBD52□□G/FVEandBD53□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
MMSZ5226C
功能描述：
稳压二极管 ZEN SOD123 REG 0.5W 3.3V
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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