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MMSF10N03Z	文件：196.28 Kbytes Page：10 Pages	SINGLE TMOS POWER MOSFET 10 AMPERES 30 VOLTS EZFETs™areanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocessandcontainmonolithicback–to–backzenerdiodes.ThesezenerdiodesprovideprotectionagainstESDandunexpectedtransients. •ZenerProtectedGatesProvideElectrostaticDischargeProtection	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MMSF10N03Z	文件：283.66 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMSF10N03ZR2	文件：283.66 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
10N03L	文件：452.29 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
10N03LA	文件：1.7366 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
10N03LA	文件：1.83276 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
HM10N03D	文件：760.93 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
IPB10N03L	文件：452.29 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPB10N03LB	文件：205.32 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPD10N03LA	文件：403.13 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPD10N03LA	文件：412.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPD10N03LAG	文件：403.13 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPF10N03LA	文件：412.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPF10N03LA	文件：403.13 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IPP10N03LB	文件：338.85 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPP10N03LBG	文件：275.77 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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详细参数

型号：
MMSF10N03Z
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
ON Semiconductor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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