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MMRF1014N数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MMRF1014N

功能描述

1-2000 MHz, 4 W, 28 V Class A/AB RF Power MOSFET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-13 23:00:00

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MMRF1014N规格书详情

描述 Description

The MMRF1014NT1 is designed for Class A or Class AB power amplifier applications with frequencies up to 2000 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.

特性 Features

• Typical Two-Tone Performance @ 1960 MHz, 28 Vdc, IDQ = 50 mA, Pout = 4 W PEPPower Gain: 18 dBDrain Efficiency: 33%IMD: –34 dBc
• Typical Two-Tone Performance @ 900 MHz, 28 Vdc, IDQ = 50 mA, Pout = 4 W PEPPower Gain: 19 dBDrain Efficiency: 33%IMD: –39 dBc
• Capable of Handling 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 1960 MHz, 4 W CW Output Power
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• On-Chip RF Feedback for Broadband Stability
• Integrated ESD Protection
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units,16 mm Tape Width, 7-inch Reel.

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