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MMST2907A	文件：133.27 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation.(PC=200mW) ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeMMST2222A. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST2907A	文件：137.66 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST2907A	文件：234.71 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST2907A	文件：202.28 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2222A)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMST2907A	文件：430.95 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST2907A	文件：94.6 Kbytes Page：5 Pages	PNPMediumPowerTransistor(Switching) Features 1)BVCEO	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST2907A	文件：131.51 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMST2907A	文件：153.97 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST2907A	文件：1.3769 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2222A)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMST2907A	文件：1.66841 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2222A)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

详细参数

型号：
MMPQ2907A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Gen Purpose Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMPQ2907A_Q供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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