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MPS2907	文件：36.7 Kbytes Page：1 Pages	PNP(GENERALPURPOSETRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR •Collector-EitterVoltage:VCEO=60V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS2907	文件：115.46 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors(PNPSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS2907	文件：245.05 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPS2907	文件：229.01 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MPS2907	文件：97.64 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistors	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MPS2907	文件：244.64 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Capableof0.625WattsofPowerDissipation. •Collector-current-0.6A •Collector-baseVoltage-60V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:MPS2907/MPS2907A •LeadFr	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MPS2907	文件：74.22 Kbytes Page：2 Pages	PNP(GENERALPURPOSETRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR •Collector-EitterVoltage:VCEO=40V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS2907	文件：441.61 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementaryNPNTypeavailable(MPS2222)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MPS2907	文件：126.41 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MPS2907	文件：198.47 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

详细参数

型号：
MMPQ2907_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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