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MMBTH10-7-F分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MMBTH10-7-F
厂商型号

MMBTH10-7-F

参数属性

MMBTH10-7-F 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

功能描述

NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

557.61 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-2 16:20:00

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产品属性

  • 产品编号:

    MMBTH10-7-F

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    25V

  • 频率 - 跃迁:

    650MHz

  • 功率 - 最大值:

    300mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 4mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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