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MMBT5551LT1	文件：199.8 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT5551LT1	文件：199.8 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors(NPN Silicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT1	文件：165.54 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Transistors(NPN Silicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT5551LT1	文件：38.95 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEKAvic Technology Avic Technology	AVICTEK
MMBT5551LT1	文件：41.04 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheMMBT5551LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT5551LT1	文件：153.2 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR ●CollectorDissipation:Pc-225mW(Ta=25°) ●Collector-EmillerVoltage:VCEO=160V	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT5551LT1G	文件：183.57 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT3G	文件：183.57 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT1	文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT1_15	文件：153.2 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT5551LT1G	文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT1G	文件：127.52 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT3	文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT3G	文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT3G	文件：127.52 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
5551	文件：52.68 Kbytes Page：4 Pages	ColdShrink]RubberSplicingKits 1.ProductDescription 3M]5550SeriesColdShrink]RubberSplicingKitsare designedforsplicing5/8kVshieldedandnon-shielded,solid dielectric,powercables.Eachkitcontainsallthematerials (exceptconnectors)requiredtoconstruct3single-conductor splicesontapeshield,wiresh	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
5551AB	文件：123.14 Kbytes Page：4 Pages	500SeriesIntelligentSensorswithIntegralCommunications	SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas. Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR
5551B	文件：123.14 Kbytes Page：4 Pages	500SeriesIntelligentSensorswithIntegralCommunications	SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas. Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR

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详细参数

型号：
MMBT5551LT
功能描述：
两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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