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MMBT4401Q-13-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
MMBT4401T	文件：58.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>40V •IC=600mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT2907AT •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT4401T	文件：182.64 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT4403T) •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT4401-TP	文件：95.52 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT4401W	文件：157.11 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor NPNSiliconGeneralPurposeTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT4401W	文件：304.12 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT4401W	文件：887.4 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER225mW FEATURES NPNepitaxialsilicon,planardesign Collector-emittervoltageVCE=40V CollectorcurrentIC=600mA IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT4401W	文件：840.6 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features ESDRating:HumanBodyModel;4kV,MachineModel;400V. Applications Mediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMDT4401	文件：435.06 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT4401	文件：192.01 Kbytes Page：2 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

产品属性

产品编号：
MMBT4401Q-13-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23

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深圳市高捷芯城科技有限公司	MMBT4401Q-13-F	DIODES(美台)	24+	SOT-23-3	14843	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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