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MMDT4401DW	文件：1.99541 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMDT4401-TP	文件：149 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST4401	文件：141.4 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST4401	文件：618.6 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMST4401	文件：131.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMST4403). ●Ultar-smallsurfacemountpackage. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST4401	文件：449.02 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST4401	文件：58.36 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMST4403) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST4401	文件：80.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNMediumPowerTransistor •Features 1)BVCEO>40V(IC=1mA) 2)ComplementstheUMT4403/SST4403/MMST4403/PN4403.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST4401	文件：88.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNMediumPowerTransistor(Switching) •Features 1)BVCEO>40V(IC=1mA) 2)ComplementstheUMT4403/SST4403/MMST4403/PN4403.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST4401	文件：104.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNMediumPowerTransistor(Switching)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
MMBT4401_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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