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MMDT4401	文件：355.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT4401	文件：575.07 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors DUALTRANSISTOR FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMDT4401	文件：387.07 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT4401	文件：175.25 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT4401	文件：1.39046 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(NPN) DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT4401	文件：219.18 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMDT4401	文件：701.29 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDT4401	文件：558.95 Kbytes Page：3 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMDT4401	文件：627.81 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMDT4401	文件：1.48359 Mbytes Page：4 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

详细参数

型号：
MMBT4401_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT4401_Q供应商更新时间2025-7-20 10:01:00

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