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MMBT4401W	文件：887.4 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER225mW FEATURES NPNepitaxialsilicon,planardesign Collector-emittervoltageVCE=40V CollectorcurrentIC=600mA IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT4401W	文件：840.6 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features ESDRating:HumanBodyModel;4kV,MachineModel;400V. Applications Mediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMDT4401	文件：435.06 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT4401	文件：192.01 Kbytes Page：2 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMDT4401	文件：55.24 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT4401	文件：166.91 Kbytes Page：3 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT4401	文件：149 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT4401	文件：178.93 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT4401	文件：495.29 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT4401	文件：138.07 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=600mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
MMBT4401_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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