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TLDR4400	文件：104.78 Kbytes Page：5 Pages	HighIntensityLEDin횠3mmTintedDiffusedPackage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TLDR4400	文件：108.82 Kbytes Page：5 Pages	HighIntensityLEDin횠3mmTintedDiffusedPackage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TLDR4400	文件：108.1 Kbytes Page：5 Pages	HighIntensityLEDinØ3mmTintedDiffusedPackage DESCRIPTION ThisLEDcontainsthedoubleheterojunction(DH)GaAlAson GaAstechnology. ThisdeepredLEDcanbeutilizedoverawiderangeofdrive current.ItcanbeDCorpulsedriventoachievedesiredlight output. Thedeviceisavailableina3mmtinteddiffusedpackage. FEATURES	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TLHB4400	文件：71.15 Kbytes Page：5 Pages	HighEfficiencyBlueLED,3mmTintedDiffused	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TLHB4400	文件：114.3 Kbytes Page：6 Pages	HighEfficiencyBlueLED,??3mmTintedDiffusedPackage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TLHE4400	文件：70.15 Kbytes Page：5 Pages	HighIntensityLEDin3mmTintedDiffusedPackage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TLHG4400	文件：208.18 Kbytes Page：11 Pages	SuitableforDCandhighpeakcurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
MMBT4400_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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