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MMBT3906T	文件：178.97 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904T) •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906T	文件：5.28636 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable •AlsoAvailableinLeadFreeVersion	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT3906T	文件：428.15 Kbytes Page：6 Pages	40VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906T	文件：711.63 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●AlsoAvailableinLeadFreeVersion ●ComplementarytoMMBT3904T	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT3906T	文件：273.51 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906T	文件：167.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904T). ●LowCurrent(Max:-200mA). ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT3906T	文件：1.03715 Mbytes Page：7 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features HighDCCurrentGain,LowCollectortoEmitterSaturationVoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3906T	文件：953.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●AlsoAvailableinLeadFreeVersion ●ComplementarytoMMBT3904T	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT3906T	文件：983.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable •AlsoAvailableinLeadFreeVersion	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT3906T	文件：207.99 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable AlsoAvailableinLeadFreeVersion	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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产品属性

产品编号：
MMBT3906SL
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-923F
供应商器件封装：
SOT-923F
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT923F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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