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MMBT3906LT1G

  • 厂家型号:MMBT3906LT1G
  • 生产厂商:ONSemi
  • 库存数量:78878
  • 产品封装:SOT-23
  • 生产批号:22+
  • 参数资料:

    General Purpose Transistor(PNP Silicon)

  • 库存类型:现货库存
  • 更新时间:2022-11-25 10:37:00
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说明/货期/品质/优势

生态型服务:代理、现货、订货、调货、技术

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT3906LT1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

企业详情

企业全称:深圳南电森美电子有限公司 商铺

联系人:邱学丰

手机:13316538371

微信:13316538371

电话:13316538371

传真:2355786850

地址:深圳市龙岗区吉华街道甘李5路1号科伦特研发楼908

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  • 封装形式
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  • 深圳市壹芯创科技有限公司

  • MMBT3906LT1G
  • ON
  • 22+
  • SOT23
  • 680000
  • 型号:MMBT3906LT1G 品牌:ON 封装:SOT-23 标准包装:3,000 包装:带卷 (TR) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA
  • 询价

更多供应商 更新时间:2017/11/28 15:01:00

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