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MMBT3906T	文件：273.51 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906T	文件：167.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904T). ●LowCurrent(Max:-200mA). ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT3906T	文件：1.03715 Mbytes Page：7 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features HighDCCurrentGain,LowCollectortoEmitterSaturationVoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3906T	文件：953.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●AlsoAvailableinLeadFreeVersion ●ComplementarytoMMBT3904T	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT3906T	文件：983.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable •AlsoAvailableinLeadFreeVersion	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT3906T	文件：207.99 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable AlsoAvailableinLeadFreeVersion	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMBT3906TB	文件：479.32 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeSwitchingTransistor Features PNPepitaxialsilicon,planardesign Collector-EmitterVoltageVCE=-40V CollectorCurrentIC=-200mA LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906-TP	文件：367.48 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906T-TP	文件：120.71 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SurfaceMountSOT-523Package •EpitaxialPlanarDieConstruction •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:3N •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906W	文件：284.95 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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