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MMBT3906T	文件：167.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904T). ●LowCurrent(Max:-200mA). ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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MMBT3906T

文件：167.54 Kbytes

Page：4 Pages

PNPGeneralPurposeTransistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904T). ●LowCurrent(Max:-200mA). ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN

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更多MMBT3906_Q供应商更新时间2025-7-20 14:13:00

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