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MMPQ3906	文件：141.35 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONQUADTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMMPQ3906,consistingoffourtransistorsandavailableintheSOIC-16surfacemountpackage,isdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MMPQ3906	文件：81.38 Kbytes Page：6 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10µAto100mA.SourcedfromProcess66.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ3906	文件：150.63 Kbytes Page：4 Pages	QuadAmplifier/SwitchTransistorPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMST3906	文件：328.39 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation. ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementarytoMMST3904. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplicationandswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST3906	文件：134.29 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3906	文件：200.68 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMST3904) Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMST3906	文件：169.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>−40V(IC=−1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST3906	文件：322.99 Kbytes Page：9 Pages	150mALOADSWITCHFEATURINGCOMPLEMENTARYBIPOLARTRANSISTORS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3906	文件：42.63 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-40V •IC=-200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMST3904 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3906	文件：127.19 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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产品属性

产品编号：
MMBT3906-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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