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MMDT2907A	文件：891.91 Kbytes Page：5 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailableMMDT2222A. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●ForLowpoweramplificationandswitching.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDT2907A	文件：1.4616 Mbytes Page：4 Pages	PNPPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ComplementaryNPNTypeavailableTPMMDT2222A	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT2907V	文件：152.7 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVceo>-60V •IC=-600mACollectorCurrent •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMDT2222V •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMPQ2907	文件：58.25 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description ThePN2907A,MMBT2907A,andPZT2907Aare60V-PNPbipolartransistorsdesignedforuseasageneral-purposeamplifierorswitchinapplicationsthatrequireupto500mA.Offeredinanultra-smallsurface-mountpackage(SOT-223),thePZT2907Aisidealforspace-constrainedsystems.T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ2907A	文件：62.56 Kbytes Page：5 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiring collectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ2907A	文件：90.05 Kbytes Page：7 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ2907A	文件：141.32 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONQUADTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMMPQ2907A,consistingoffourtransistorsandavailableintheSOIC-16surfacemountpackage,isdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MMST2907	文件：79.55 Kbytes Page：4 Pages	PNPMediumPowerTransistor(Switching) Features 1)BVCEO	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST2907	文件：54.56 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-60V •IC=-600mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMST2222A •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualif	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST2907	文件：202.28 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH

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产品属性

产品编号：
MMBT2907A-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23

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