MMBD301LT3G_分立半导体产品二极管-射频-安森美半导体

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厂家型号：
MMBD301LT3G
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
19850
类别：
分立半导体产品二极管-射频
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
更新时间：
2024-5-13 20:19:00

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原厂料号：MMBD301LT3G品牌：onsemi

资料说明：DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3

MMBD301LT3G是分立半导体产品 > 二极管 - 射频。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBD301LT3G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。

芯片型号：
mmbd301lt3g
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMBD301LT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基 - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：
30V
不同 Vr、F 时电容：
1.5pF @ 15V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3

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MMBD301LT3G_分立半导体产品 二极管-射频-安森美半导体

MMBD301LT3G

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