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MJE802T	文件：194.68 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) PLASTICDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. FEATURES HighDCCurrentGain—hFE=2000(Typ)@IC=2.0A MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterResistorstoLimitLeakageMultiplicat	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJE802T	文件：250.84 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •Collector–EmitterBreakdownVoltage— :V(BR)CEO=80V •DCCurrentGain— :hFE=750(Min)@IC=2A •ComplementtoTypeMJE702T APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speed switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
MJE802T
制造商：
MOSPEC
制造商全称：
Mospec Semiconductor
功能描述：
POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)

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