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MJE1123	文件：116.03 Kbytes Page：6 Pages	PNP LOW DROPOUT TRANSISTOR 4.0 AMPERES 40 VOLTS BipolarPowerPNPLowDropoutRegulatorTransistor TheMJE1123isanapplicationsspecificdevicedesignedtoprovidelow–dropoutlinearregulationforswitching–regulatorpostregulators,batterypoweredsystemsandotherapplications.TheMJE1123isfullyspecifiedinthesaturationregionand	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE1123	文件：100.01 Kbytes Page：2 Pages	Bipolar Power PNP Low Dropout Regulator Transistor BipolarPowerPNPLowDropoutRegulatorTransistor TheMJE1123isanapplicationsspecificdevicedesignedtoprovidelow-dropouinearregulationforswitching-regulatorpostregulators,batterypoweredsystemsandotherapplications.TheMJE1123isfullyspecfedinthesaturationregionandexh	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE1123	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 40V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB;	NJS New Jersey Semiconductor	NJS
MM112	文件：495.69 Kbytes Page：1 Pages	PrecisionFilmResistors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
MMBFJ112	文件：488.24 Kbytes Page：13 Pages	N-ChannelSwitch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBFJ112	文件：101.26 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSwitch Features •Thisdeviceisdesignedforlowlevelanalogswitching, sampleandholdcircuitsandchopperstabilizedamplifiers •SourcedfromProcess51. •Source&Drainareinterchangeable.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBFJ112	文件：157.1 Kbytes Page：6 Pages	Thisdeviceisdesignedforlowlevelanalogswitching,sampleandholdcircuitsandchopperstabilizedamplifiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBFJ112	文件：450.3 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelSwitch Features •ThisDeviceisDesignedforLowLevelAnalogSwitching,Sample andHoldCircuitsandChopperStabilizedAmplifiers •SourcedfromProcess51 •Source&DrainareInterchangeable •ThesearePb−FreeDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTRA112SS	文件：123.7 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTRC112SS	文件：123.68 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuitapplications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

技术参数

Configuration：
Single
Maximum Collector Base Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@20mA@1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Transition Frequency：
11.5(Typ)MHz
Type：
PNP

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