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MJD45H11RL	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •Stra	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD45H11RLG	文件：132.18 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Power Transistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD45H11RLG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 8A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11TF	文件：164.1 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposePowerandSwitchingSuchasOutputorDriverStagesinApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LoadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK:“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE45H •FastSwitchingSpeeds •LowCollect	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD45H11TM	文件：42.37 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposePowerandSwitchingSuchasOutputorDriverStagesinApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposePowerandSwitchingSuchasOutputorDriverStagesinApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LoadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK:“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE45H •FastSwitchingSpeeds •LowCollect	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJF45H11	文件：157.17 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF45H11	文件：76.48 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-1.0V(Max.)@IC=-8A •FastSwitchingSpeeds •ComplementtoTypeMJF44H11 APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,con	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
MJD45H11RL
功能描述：
两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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