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MJD44H11T4G

  • 厂家型号:MJD44H11T4G
  • 生产厂商:ON/ON Semiconductor/安森美/安森美半导体公司
  • 库存数量:80000
  • 产品封装:TO252-3
  • 生产批号:2021+
  • 参数资料:

    功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

  • 库存类型:现货库存
  • 更新时间:2022-3-2 11:53:00
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MJD44H11T4G说明/货期/品质/优势

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更多MJD44H11T4G供应商 更新时间:2022/8/12 9:01:00

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