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MJD42C1G

Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors DPAK for Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Elect

文件:121.38 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD42C1G

Complementary Power Transistors

文件:89.89 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD42C1G

isc Silicon PNP Power Transistor

文件:295.89 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MJD42C1G

Complementary Power Transistors

文件:78.58 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD42C1G

Complementary Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MJD42C1G

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 100V 6A IPAK

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJD42C1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 600mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 供应商器件封装:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 6A IPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多MJD42C1G供应商 更新时间2025-10-4 8:11:00