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MJD31CQ-13中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
MJD31CQ-13 |
| 参数属性 | MJD31CQ-13 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 100V 3A TO252-3 |
| 功能描述 | 100V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252 |
| 文件大小 |
316.5 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【达尔科技】 |
| 中文名称 | 达尔科技官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-1 23:00:00 |
MJD31CQ-13规格书详情
Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) has been designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
Features
• BVCEO > 100V
• IC = 3A high Continuous Collector Current
• ICM = 5A Peak Pulse Current
• Ideal for Power Switching or Amplification Applications
• Complementary PNP Type: MJD32CQ
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)
产品属性
- 产品编号：
MJD31CQ-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252-3
- 描述：
TRANS NPN 100V 3A TO252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
23+ |
NA/ |
7250 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
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ON |
23+ |
SOT252/2.5 |
20000 |
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SOT252/2.5 |
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DIODES |
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