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MJD3055RLG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 10A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE3055	文件：65.19 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE3055Tisasiliconepitaxial-baseNPNtransistorinJedecTO-220package.Itisintendedforpowerswitchingcircuitsandgeneral-purposeamplifiers.ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955T. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE3055	文件：129.259 Kbytes Page：4 Pages	10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS75WATTS ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingapplications. •DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes •HighCurrentGain—BandwidthProduct— fT=2.0MHz(Min)@IC=500mAdc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE3055	文件：36.92 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeandSwitchingApplications GeneralPurposeandSwitchingApplications •DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A •HighCurrentGain-BandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE3055	文件：216.66 Kbytes Page：6 Pages	NPN(GENERALPURPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS) GENERALPUPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS DCCURRENTGAINSPECIFIEDTO10AMPERES HighCurrentGain-BandwidthProduct(fT=25°C)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MJE3055	文件：64.709 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION Complementary,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJE3055	文件：55.44 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:10A Collector-basevoltage V(BR)CBO:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MJE3055	文件：133.75 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulatePowerTransistors Plastic-EncapsulatePowerTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MJE3055	文件：241.59 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·HighDCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=4A ·ComplementtoTypeMJE2955 APPLICATIONS ·Designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE3055	文件：246.08 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof2.0WattsofPowerDissipation. •Collector-current10A •Collector-baseVoltage70V •Operatingandst	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

产品属性

产品编号：
MJD3055RLG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 60V 10A DPAK

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更多MJD3055RL供应商更新时间2025-7-27 23:00:00

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