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MM5312	文件：526.11 Kbytes Page：7 Pages	DIGITALCLOCKS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MM5312N	文件：526.11 Kbytes Page：7 Pages	DIGITALCLOCKS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MS5312	文件：97.85 Kbytes Page：2 Pages	HIGHRELIABILITYCURRENTREGULATORDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MUN5312DW	文件：2.64229 Mbytes Page：32 Pages	DUALBIASRESISTORTRANSISTORNPN&PNPWITHMONOLITHICBIASRESISTORNETWORK DESCRIPTION TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingle transistorwithamonolithicbiasnetworkconsisting oftworesistors;aseriesbaseresistoranda baseemitterresistor.Thesedigitaltransistorsare designedtoreplaceasingledeviceanditsexternal resistorbiasnetwor	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
MUN5312DW	文件：1.49667 Mbytes Page：29 Pages	DualBiasResistorTransistors	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
MUN5312DW	文件：1.4905 Mbytes Page：29 Pages	DualBiasResistorTransistorNPNPNPSilicon DualBiasResistorTransistor NPN+PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MV5312	文件：97.85 Kbytes Page：2 Pages	HIGHRELIABILITYCURRENTREGULATORDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MX5312	文件：97.85 Kbytes Page：2 Pages	HIGHRELIABILITYCURRENTREGULATORDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE5312	文件：20.96 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhaseBridgeRectifier8Amp Features: ●LowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRating:200A(Peak) ●MountingHoleThrufor#6Screw	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5312	文件：19.56 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhaseBridgeRectifier8Amp Features: ●LowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRating:200A(Peak) ●MountingHoleThrufor#6Screw	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5312	文件：16.93 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhaseBridgeRectifier8Amp Features: ●LowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRating:200A(Peak) ●MountingHoleThrufor#6Screw	NTE NTE Electronics	NTE
NX5312	文件：347.56 Kbytes Page：5 Pages	NECs1310nmInGaAsPMQWFPLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX5312	文件：285.22 Kbytes Page：7 Pages	1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,InGaAsPMQW-FPLASERDIODE	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX5312EH-AZ	文件：347.56 Kbytes Page：5 Pages	NECs1310nmInGaAsPMQWFPLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Laboratories	CEL
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PM5312	文件：77.07 Kbytes Page：2 Pages	SONET/SDHTransportOverheadTerminatingTransceiver FEATURES •MonolithicSONET/SDHTransportOverheadTerminatingTransceiverforuse inSTS-1,STS-3(STM-1),orSTS-12(STM-4)lineinterfaceapplications. •Operatesinoneoffourmodes:STS-1bitserialmode,STS-1byteserial mode,STS-3/STM-1byteserialmode,orSTS-12/STM-4bytese	PMC PMC-Sierra, Inc	PMC
PM5312	文件：492.62 Kbytes Page：2 Pages	SONET/SDHTRANSPORTTERMINATINGTRANSCEIVER	PMC PMC-Sierra, Inc	PMC
PM5312	文件：493.63 Kbytes Page：140 Pages	SONET/SDHTRANSPORTOVERHEADTERMINATINGTRANSCEIVERTELECOMSTANDARDPRODUCT FEATURES •MonolithicSONET/SDHTransportOverheadTerminatingTransceiverforuse inSTS-1,STS-3(STM-1),orSTS-12(STM-4)lineinterfaceapplications. •Operatesinoneoffourmodes:STS-1bitserialmode,STS-1byteserial mode,STS-3/STM-1byteserialmode,orSTS-12/STM-4bytese	PMC PMC-Sierra, Inc	PMC

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详细参数

型号：
MIC5312-GPYML TR
功能描述：
低压差稳压器 - LDO Portable Power IC in 3mm x 3mm MLF LowQ Dual Cap LDO w/Integrated POR
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
最大输入电压：
36 V
输出电压：
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）：
307 mV
输出电流：
1 A
负载调节：
0.3 %
输出类型：
Fixed
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-20

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更多MIC5312-GPYML TR供应商更新时间2024-9-27 14:30:00

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